• S29GL512S11FAIV10 IC 칩 도구 IC 플래시 512M 대비 64BGA 전자 부품
S29GL512S11FAIV10 IC 칩 도구 IC 플래시 512M 대비 64BGA 전자 부품

S29GL512S11FAIV10 IC 칩 도구 IC 플래시 512M 대비 64BGA 전자 부품

제품 상세 정보:

모델 번호: S29GL512S11FAIV10

결제 및 배송 조건:

포장 세부 사항: 테이프 & 릴 (TR)
배달 시간: 1-2 작업 일수
지불 조건: 인수 인도, 전신환, 웨스턴 유니온
지금 인용을 얻으세요! 접촉

상세 정보

패키지 / 건: 64-lbga 증가하는 타입: 표면 부착
엑세스 시간: 110 나노 초 패키징: 트레이
공급자 소자 패키지: 64-적층된 BGA (13x11) 기억 영역형: 비휘발성입니다

제품 설명

우리는 S29GL512S11FAIV10 공급할 수 있고 S29GL512S11FAIV10 피르스 그리고 생산 소요 시간 https://www.henkochips.com을 요구하기 위해 우리에게 요구 인용문을 보냅니다 전문적 전자 구성품 배포자. 10+로 이용 가능한 전자 부품의 백만 품목명은 바로 도분을 위한 주가의 전자 부품의 25만 부품번호 위에서, 준비 시간을 요약하면 수송할 수 있으며, 그것이 요구된 양, 유용성과 저장소 위치에 따라 S29GL512S11FAIV10을 위해 부품번호 S29GL512S11FAIV10.The 가격과 생산 소요 시간을 포함할 수 있습니다.오늘 우리와 연락하세요, 그러면 우리의 외판원은 협력의 장기간 관계를 수립하기 위해 당신과 함께 일하는 것에게 앞으로 부품 S29GL512S11FAIV10.We 보기에 당신에게 가격과 도분을 제공할 것입니다

 

자유로운 상태 / 로에스 지위를 이끄세요 : 무료 / 로에스 순응하 이끄세요
상세한 설명 : 플래시 - NOR 메모리용 IC 512Mb (32M x 16) 평행한 110 나노 초 64-적층된 BGA (13x11)
전압 - 공급 : 1.65 V ~ 3.6 V
메모리 용량 : 512Mb (32M x 16)
기억기접합 : 대비
순환 주기 - 단어 쓰고 안내방송을 하세요 : 60 나노 초
습도 감지 수준 (MSL) : 3 (168 시간)
시리즈 : GL-S
메모리 포맷 : 플래시
기술 : 플래시 -도 또한
작동 온도 : -40' C ~ 85' C (TA)

 

뜨거운 제안 하이라이트

 
제품 모델 브랜드
UCC27523DR TI
TUSB522PRGER TI
TS3A27518ETRTWRQ1 TI
TPS7A8300RGRR TI
TPS74801TDRCRQ1 TI
TPS63051RMWR TI
TPS63000DRCR TI
TPS62561DDCR TI
TPS562209DDCR TI
TPS54560DDAR TI

 

통상적인 문제

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