S29GL512T11FAIV10 IC 칩 도구 IC 플래시 512M 대비 IC 제조
제품 상세 정보:
모델 번호: | S29GL512T11FAIV10 |
결제 및 배송 조건:
포장 세부 사항: | 테이프 & 릴 (TR) |
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배달 시간: | 1-2 작업 일수 |
지불 조건: | 인수 인도, 전신환, 웨스턴 유니온 |
상세 정보 |
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엑세스 시간: | 110 나노 초 | 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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자유로운 상태 / 로에스 지위를 이끄세요: | 비 컴플라이언트한 요구 재고량 검증 / 로에스 | 상세한 설명: | 플래시 - NOR 메모리용 IC 512Mb (64M x 8) 평행한 110 나노 초 |
전압 - 공급: | 1.65 V ~ 3.6 V | 메모리 용량: | 512Mb (64M x 8) |
제품 설명
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기억기접합 : | 대비 |
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순환 주기 - 단어 쓰고 안내방송을 하세요 : | 60 나노 초 |
습도 감지 수준 (MSL) : | 3 (168 시간) |
시리즈 : | GL-T |
메모리 포맷 : | 플래시 |
기술 : | 플래시 -도 또한 |
작동 온도 : | -40' C ~ 85' C (TA) |
뜨거운 제안 하이라이트
제품 모델 | 브랜드 |
MMBZ33VAL | 넥스페리아 |
MAX96706GTJ/V+T | 격언 |
MAX823SEUK+T | 격언 |
MAX809SEUR+T | 격언 |
MAX705ESA+T | 격언 |
MAX6063AEUR+T | 격언 |
MAX485EPA+ | 격언 |
MAX485EESA+T | 격언 |
MAX40200ANS+T | 격언 |
MAX3491ESD+T | 격언 |
통상적인 문제
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