STD4NK60ZT4 집적 회로 ICs MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
제품 상세 정보:
모델 번호: | STD4NK60ZT4 |
결제 및 배송 조건:
포장 세부 사항: | 테이프 및 릴(TR) |
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배달 시간: | 1-2일 |
지불 조건: | D/A, T/T, 웨스턴 유니온 |
상세 정보 |
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드레인-소스 전압(Vdss): | 600V | 전력 손실(최대): | 70W(시) |
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패키지 / 건: | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 증가하는 타입: | 표면 부착 |
패키징: | 테이프 및 릴(TR) | 공급자 장치 패키지: | DPAK |
제품 설명
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Id에 있는 Vgs(th) (맥스) : | 50uA에 있는 4.5V |
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구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) : | 10V |
자유로운 상태 / 로에스 지위를 이끄세요 : | 무료 / 로에스 순응하 이끄세요 |
상세한 설명 : | 엔-채널 600V 4A (Tc) 70W (Tc) 표면 부착 DPAK |
FET 특징 : | - |
습도 감지 수준 (MSL) : | (제한 없는) 1 |
FET 타입 : | 엔-채널 |
시리즈 : | 슈퍼메쉬티엠 |
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id) : | 4A (Tc) |
이명 : | 497-5889-2 Q2161615 STD4NK60ZT4-ND |
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) : | 25V에 있는 510pF |
브그스 (맥스) : | ±30V |
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds : | 2A, 10V에 있는 2 오옴 |
기술 : | MOSFET (금속 산화물) |
브그스에 있는 게이트전하 (큐그) (맥스) : | 10V에 있는 26nC |
작동 온도 : | 150' C (TJ) |
통상적인 문제
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